SiC外延设备厂商芯三代启动上市辅导

  致力于第三代半导体关键设备碳化硅(SiC)外延设备的研发和产业化的芯三代启动上市。

  2月18日消息，芯三代半导体科技（苏州）股份有限公司（简称“芯三代”）在江苏证监局进行辅导备案登记，辅导机构为海通证券。

  芯三代成立于2020年，致力于研发生产半导体相关专业设备，目前聚焦于第三代半导体SiC-CVD装备，倾力为业界提供先进且富有竞争力的量产装备。SiC-CVD设备用于碳化硅衬底上同质单晶薄膜外延层的生长，SiC外延片大多数都用在制造功率器件如肖特基二极管、IGBT、MOSFET等电子器件。

  据悉，芯三代将工艺和设备紧密结合研发的SiC-CVD设备通过温场控制、流场控制等方面的设计，在高产能、6/8英寸兼容、CoO成本、长时间多炉数连续自动生长控制、低缺陷率、维护便利性和可靠性等方面都有着非常明显的优势。

  公开信息显示，2023年下半年，芯三代自主研发的8英寸垂直气流外延设备已经帮助两家客户顺利完成8英寸SiC外延工艺的调试和首批8英寸外延片订单交付，从而证明国产外延设备不仅在6英寸SiC上已经实现超越，在8英寸SiC上也取得突破性进展，尤其在缺陷率指标上更胜一筹。

  据了解，受益于碳化硅下游市场需求逐步放大，外延生长在SiC器件制造成本中占比超20%，SiC外延设备是第三代半导体SiC器件制造的核心装备之一，下游市场的飞速增长，不断的扩产需求也助推了碳化硅外延设备的市场增长，国内的外延设备企业纷纷开始推动布局。

  据InSemi的碳化硅设备市场报告，国内当前碳化硅外延设备的公司数已接近10余家，国产设备的占比在不断的提高，2023年国产设备出货量占比已全面超越海外。

  融资方面，企查查显示，芯三代已获得多轮融资，其中2021年12月和2023年6月融资金额分别达到超亿元和数千万元（人民币，下同）。具体来看，2023年上半年，芯三代密集完成4轮融资，投资方包括毅达资本、海富产业基金、上海桦昀、德观资产、浑璞投资、唐兴资本、汇添富资本、华泰紫金投资等众多机构。

  辅导文件显示，芯三代控制股权的人为施建新，直接和间接持有公司51.99%的股份。

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